Samsung ora ha annunciato oggi che sono primi da ammassarsi producendo un flash da 16 gigabit (GB) NAND, il circuito integrato di memoria di capacità elevata disponibile. Gennaio scorso Samsung ha cominciato i campioni di trasporto ai clienti.

L'azienda ha detto che fabbricherà i dispositivi in 51 nanometro (nm), la tecnologia della trasformazione più fine da usare nella fabbricazione in serie di memoria fin qui. I circuiti integrati’istantanei di Samsung la s 51nm NAND possono essere prodotti più efficientemente 60 per cento di quelli prodotti con tecnologia della trasformazione di 60nm. Samsung ha realizzato questa nuova pietra di espansione appena otto mesi dopo l'annuncio della produzione dei relativi 60nm 8Gb NAND agosto scorso istantaneo.

Il nuovo circuito integrato 16Gb che ha una struttura multilivelli delle cellule (MLC) può facilitare l'espansione di capienza offrendo 16 gigabytes (GBs) della memoria in una singola scheda di memoria.

Ancora, applicando la nuova tecnologia della trasformazione, Samsung ha accelerato il circuito integrato’s colto e scrive le velocità dalle velocità correnti di elaborazione dei dati dell'eccedenza MLC di circa 80 per cento.

NAND Nuovo MLC Istantaneo (51nm) MLC Corrente (60nm)
SLC (60nm) ha letto la velocità 30MB/s 17MB/s 33MB/s scrive la velocità 8MB/s 4.4MB/s 13MB/s
La memoria istantanea di NAND legge e redige i dati nelle unità denominate “pagine.” La memoria istantanea di 60nm NAND è progettata con un formato della pagina da 2 kiloByte (Kb), ma la versione 16Gb di 51nm può procedere i dati in pagine dai 4 Kb, quasi raddoppianti il tasso di dati. Il prodotto inoltre effettua la stessa possibilità corretditrice d'errori di codice dei 4 bit (ECC) come quella di 60nm NAND, permettendo che i clienti usino le interfacce del sistema attuali con soltanto gli aggiornamenti secondari dei firmware. Con il relativo 4 bit ECC, Samsung elimina la necessità di assicurare una possibilità migliore di ECC per assicurare l'affidabilità sufficiente, che avrebbe richiesto i nuovi regolatori costosi. Samsung offrirà un suite ottimizzato di software istantaneo e firmware-ha incorporato i dispositivi di memorizzazione affinchè i telefoni di musica ed i giocatori MP3 sostenga le pagine 4KB. Inoltre fornirà una caratteristica di ottimizzazione di prestazioni dell'multi-aereo ed il port-livellamento per affidabilità migliorata. Le schede di memoria ed i regolatori MP3 per sostenere il 4KB-page sono già disponibili, l'espansione di tecnologia a 16Gb si pensa che amplifichi la richiesta esplosiva recente di immagazzinaggio di dati ad alta densità in telefoni high-end di musica e la tendenza fenomenale verso il soddisfare generato utente (UCC). Poichè la domanda di video soddisfare si sviluppa più forte entro il giorno, i prodotti che caratterizzano il tempo di registrazione esteso di video metraggio ad alta definizione, compreso le macchine fotografiche digitali della metà di-$$$-ALTO-GAMMA, trarranno beneficio specialmente dalla capacità elevata e dalle prestazioni della memoria istantanea di 16Gb NAND. Con tecnologia di sostegno sul posto, la domanda della memoria istantanea di 16Gb NAND si pensa che si sviluppi velocemente, spingendo questo nuovo circuito integrato nel mercato tradizionale che comincia in ritardo questo anno. Le vendite globali aggregate con 2010 sono valutate per essere USS21 miliardo.