Samsung verkündete heute, daß sie erste sind, zum sich anzusammeln, 16 Gigabit (GB) NAND Blitz produzierend, das höchste vorhandene Kapazität Speicherchip jetzt. Letzter Januar Samsung fing Verschiffenproben zu den Kunden an.

Die Firma sagte, daß sie die Vorrichtungen in 51 Nanometern (nm), die feinste fabriziert in der Massenproduktion bis jetzt verwendet zu werden Verfahrenstechnik, des Gedächtnisses. Samsung’s 51nm NAND grelle Späne können leistungsfähiger produziert werden 60 Prozent als die, die mit 60nm der Verfahrenstechnik produziert werden. Samsung erzielte diesen neuen Migration Meilenstein gerade acht Monate, nachdem er Produktion seines 60nm 8Gb NANDS greller letzter August verkündet hatte.

Der neue Span 16Gb, der eine Mehrebenenzelle (MLC) Struktur hat, kann Kapazität Expansion erleichtern, indem er 16 Gigabytes (GBs) des Gedächtnisses in einer einzelnen codierten Karte anbietet.

Ausserdem indem er die neue Verfahrenstechnik anwendete, hat Samsung den gelesenen Span’s beschleunigt und Geschwindigkeiten durch gegenwärtige MLC ungefähr 80 Prozent Geschwindigkeiten von Datenverarbeitung des Überschusses schreibt.

NAND Grelles Neues MLC (51nm) Gegenwärtiges MLC (60nm)
SLC (60nm) las Geschwindigkeit 30MB/s 17MB/s 33MB/s schreiben Geschwindigkeit 8MB/s 4.4MB/s 13MB/s
NAND grelles Gedächtnis liest und schreibt Daten in die Maßeinheiten, die Seiten “genannt werden.” Das 60nm NAND grelle Gedächtnis ist mit einer Größe die Seite 2 KiloByte (KB) entworfen, aber die 51nm Version 16Gb kann Daten in den 4 KBS Seiten verarbeiten und die Datenrate fast verdoppeln. Das Produkt behält auch die gleiche FehlerkorrekturFähigkeit des codes mit 4 Bits (ECC) als die von 60nm NAND bei und erlaubt Kunden, vorhandene Systemschnittstellen mit nur kleinem Mikroprogrammaufstellungaufsteigen zu benutzen. Mit seinem 4 Bit ECC, Samsung beseitigt die Notwendigkeit, eine bessere ECC Fähigkeit zu sichern, um genügender Zuverlässigkeit zu versichern, die neue teure Steuerpulte erfordert haben würde. Samsung bietet eine optimierte Suite der grellen Software an und Mikroprogrammaufstellung-verband Speichervorrichtungen, damit Musiktelefone und Spieler MP3 Seiten 4KB stützen. Es auch stellt eine Multifläche Leistung Optimierung Eigenschaft und das tragen-Planieren für verbesserte Zuverlässigkeit zur Verfügung. Die codierten Karten und Steuerpulte MP3, zum des 4KB-page zu stützen sind bereits vorhanden, wird Technologiemigration zu 16Gb erwartet, um die neue explosive Nachfrage nach mit hoher Dichte Datenspeicher in den high-end Musiktelefonen und die phänomenale Tendenz in Richtung zu Benutzer verursachtem Inhalt (UCC) aufzuladen. Da die Nachfrage nach videoinhalt bis zum dem Tag stärker wächst, profitieren Produkte, die ausgedehnte Aufnahmezeit der hochauflösenden videogesamtlänge, einschließlich Mittler-zu-hochstrecke digitale Kameras kennzeichnen, besonders von der hohen Kapazität und von der Leistung NAND 16Gb des grellen Gedächtnisses. Mit Unterstützungstechnologie im Platz, wird drückt Nachfrage nach NAND 16Gb grellem Gedächtnis erwartet, um schnell zu wachsen und diesen neuen Span in den Hauptströmungsmarkt, der spät dieses Jahr anfängt. Gesamte globale Verkäufe durch 2010 werden geschätzt, um USS21 Milliarde zu sein.